英诺赛科发布 AEC‑Q100 SolidGaN，赋能车载 OBC 系统升级

随着新能源汽车的发展，整车对 OBC 系统提出更小体积、更轻重量、更高转换效率的诉求，传统硅基功率器件逐步逼近物理性能上限。氮化镓（GaN）可同时兼顾高频、低损耗与成本优势，正成为车载小三电的优选技术路线。

英诺赛科正式发布两款车规级 SolidGaN 合封氮化镓器件ISG6127ATPG‑Q、ISG6129BTQ‑Q，两款器件均通过 AEC‑Q100 车规认证，面向车载 OBC、车载 DC‑DC 以及大功率工业电源市场，为电源系统实现小型化、轻量化、高效率提供硬件支撑。

本次发布的两款 SolidGaN 器件，将 650V 增强型 E‑Mode GaN FET、栅极钳位电路、米勒钳位（Miller Clamp）集成于单封装内部，降低系统外围器件数量，简化驱动方案，提升整体的系统可靠性。

• 集成 650V E‑Mode GaN 与栅极钳位，支持10V‑24V宽范围栅极输入，可直接由外部控制器驱动，无需额外辅助电源；

• 支持开通、关断 Slew Rate 独立可调，借助外部栅极电阻搭配二极管，灵活权衡系统 EMI 水平与开关损耗；

• 内置米勒钳位（Miller Clamp），具备最高100V/ns的dv/dt 抗扰能力，抑制高速 dV/dt 带来的器件误导通，系统无需配置负压驱动；

• 零反向恢复电荷(Qrr=0)，适配图腾柱 PFC 硬开关工作工况，最高可支持 2MHz 高频工作，助力磁性元件小型化，提升整机功率密度；

• 通过 AEC‑Q100 车规认证，工作结温范围从‑40℃ 至 +150℃

两款器件均为英诺赛科合封氮化镓SolidGaN系列，针对不同功率等级分别选用 TOLT‑16L、QDPAK‑22L 封装，原理图逻辑兼容，但封装、引脚定义不兼容，PCB 设计需要参照对应规格书。

• ISG6127ATPG‑Q（TOLT‑16L 封装）

RDS(on) 典型值为27mΩ，25℃条件下连续漏极电流 63A。器件输出电容(C_oss)、输出电荷(Q_oss)更低，开关损耗表现优异，适合中功率、高频应用场景，如车载 OBC、车载 DC‑DC、中等功率 AI 服务器 PSU 等设备。

• ISG6129BTQ‑Q（QDPAK‑22L 封装）

RDS(on) 典型值为 11.5mΩ，25℃条件下连续漏极电流 160A。更低导通电阻带来优异的导通损耗表现，适配大电流大功率应用场景，面向大功率车载 OBC、大功率图腾柱 PFC架构、高端数据中心服务器电源等产品。

除车载 OBC、车载 DC‑DC 变换器之外，两款产品同样适用于大功率开关电源、AC‑DC/DC‑DC/DC‑AC 变换器、半桥/全桥变换器、数据中心与 AI 服务器 PSU、空调、光伏逆变器、电机驱动等工业领域。

目前 ISG6127ATPG‑Q、ISG6129BTQ‑Q 两款产品规格书已在官网发布，有样品评估、技术咨询需求，欢迎通过以下邮箱与我们联系：marcom@innoscience.com。