贸泽开售适用于AI、工业、能源和机器人应用的安森美GaNEXUS GaN FET

提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售安森美 (onsemi) 全新GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET)。GaNEXUS GaN FET利用GaN的宽带隙特性，提供高速开关、低栅极和输出电荷并提提高效率，适用于AI、数据中心、工业自动化、机器人和能源基础设施等应用。

安森美GaNEXUS GaN FET可在低压、中压、高压和超高压范围的功率转换应用中实现更高的工作频率、更高的功率密度，并减少磁性元器件的使用。这些增强型分立式GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提供40V至650V的电压范围，包括带有集成保护功能的650V GaNEXUS智能GaN FET，可提高可靠性并简化系统集成。GaNEXUS解决方案旨在改善现代电力系统转换和管理能源的方式，帮助设计人员简化设计复杂度、加快开发和认证速度、降低散热和冷却需求，并优化整个供电链的性能。

在AI服务器、48V中间总线转换器 (IBC)、电池备用单元 (BBU) 和电机驱动器等低压和中压系统中，GaNEXUS可实现更小的磁性元器件、更高的功率密度、更好的效率和热性能，提高控制稳定性并降低开关损耗。在AI电源架、高压DC-DC转换、PFC和LLC功率级等更高电压的应用中，GaNEXUS可在高频AC-DC和谐振级中将磁性元器件尺寸缩小达60%，并提升PFC、LLC和高压DC-DC架构的功率密度，进而节省热管理和运营成本。

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