多维科技TMR13Nx磁开关传感器芯片赋能智能笔低功耗唤醒设计

“随着信息化智能化应用的飞速发展，智能笔的应用领域也日趋广泛。在智能笔的唤醒和续航时长功能设计中，使用开关触发低功耗模式是核心需求，传统的垂直场感应芯片会因磁场方向偏移导致触发盲区（如图1所示），影响产品使用。因此，对芯片的低功耗性能和能够消除旋转盲区，360°可靠触发的特性要求显得尤为重要。

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随着信息化智能化应用的飞速发展，智能笔的应用领域也日趋广泛。在智能笔的唤醒和续航时长功能设计中，使用开关触发低功耗模式是核心需求，传统的垂直场感应芯片会因磁场方向偏移导致触发盲区（如图1所示），影响产品使用。因此，对芯片的低功耗性能和能够消除旋转盲区，360°可靠触发的特性要求显得尤为重要。

 

图1 垂直场芯片：磁场分布图（左）磁铁旋转运动磁场分布曲线图（右）

 

江苏多维科技推出的全极型TMR13Nx系列磁开关传感器芯片，基于隧道磁阻（TMR）技术，为智能笔提供全极型开关磁触发解决方案。

 

图2 智能笔应用原理图

 

 

  产品特性  

 纳安级功耗实现超长待机 ：在分时供电模式下，TMR13Nx静态电流低至200nA。

 水平场感应消除旋转盲区 ：敏感方向平行于PCB，磁通线始终垂直穿透感应面，无角度依赖性，全向无盲区触发（如图3所示）。

 

图3 水平场芯片：磁场分布图（左）磁铁旋转运动磁场分布曲线图（右）

 全极型触发简化生产工艺 ：N/S极磁铁都可以直接触发开关，简化生产工艺步骤，提高量产效率。

 

图4 TMR13Nx开关传感器芯片应用原理图

 磁信号响应频率高 ：在实低功耗功能的同时，TMR13Nx磁开关传感器芯片磁信号响应频率可达50Hz，高出Hall传感器数倍。

 

 

  TMR13Nx产品选型表  

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来源：中电网