Nexperia推出100 V MOSFET，为高要求汽车应用实现超低导通损耗

“Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212（12 x 12毫米）铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可实现460A以上的安全电流。

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Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212（12 x 12毫米）铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可实现460A以上的安全电流。产品包含顶部和底部散热封装组合，非常适合对散热要求严格的48V汽车应用，包括车载充电器(OBC)、牵引逆变器和电池管理系统(BMS)。除了乘用车之外，新款MOSFET还适用于其他注重效率和散热可靠性的应用，包括两轮和三轮电动车、DC-DC转换器及工业大电流模块等。

车企正在迅速从12 V转向48 V子系统，以提高效率、减轻重量并延长各类电动汽车平台的续航里程。在此类高功率应用中，最大限度地减少导通损耗至关重要。以往，设计人员通常会并联多个MOSFET来满足性能需求，但这种做法会增加所需的元件数量，同时占用更多电路板空间。Nexperia的CCPAK1212 MOSFET具有超低RDS(on)和高功率密度，减少了对并联器件的需求，并且得益于紧凑的尺寸，与传统的TOLL或TOLT封装并联方案相比，可节省多达40%的PCB空间。

 

新一代100 V 符合AEC-Q101认证的沟槽晶圆工艺平台与Nexperia专有CCPAK1212铜夹封装的出众散热性能(Rth(jb) = 0.1 K/W)相结合，可实现超低RDS(on)，从而为48 V汽车系统提供所需的关键优势，包括高电流承载能力、高功率密度，而且在100 V时支持高达400 A的安全工作区(SOA)额定值。

 

为了尽可能地提高设计灵活性，此款器件提供反向顶部散热(CCPAK1212i)和底部散热(CCPAK1212)两种版本供选择，使工程师能够根据系统需求，灵活设计紧凑型布局并优化散热管理方案。

来源：中电网