存储市场供需缺口扩大：DRAM与NAND缺货加剧 Q4及2026年价格或持续攀升

AI技术引发的存储需求激增，正在全球存储市场引发连锁反应。据行业消息，DRAM与NAND闪存两大核心存储产品均出现供应短缺，且缺口扩大速度超出市场预期，预计第四季度及2026年价格将持续攀升。

供应链动态显示，全球主要云服务商已将2026年存储订单量大幅上调，导致三星、SK海力士、美光三大存储原厂库存迅速消耗。当前原厂产能已接近满载状态，难以满足下游客户激增的订单需求。与此同时，传统机械硬盘（HDD）制造商的减产策略进一步加剧了市场紧张，业内人士分析称，这可能导致至少六个月的供应缺口，迫使部分需求转向固态硬盘（SSD），进而推高NAND闪存供应链压力。

价格调整已成行业共识。继闪迪、美光、三星、西部数据等巨头相继宣布涨价后，存储模组龙头威刚于近日宣布暂停DDR4内存报价，并将DDR5与NAND闪存产能优先保障核心客户。NAND控制芯片供应商群联电子也重启报价，涨幅达10%，被视为市场涨价的明确信号。据产业链透露，第四季度存储产品涨价已无悬念，尽管10月合约价尚未最终确定，但原厂态度强硬，实际涨幅可能突破此前预期——DDR5合约价预计上涨10%-15%，现货价涨幅15%-25%；DDR4合约价涨幅将超10%，现货价涨幅超15%。

德邦证券分析指出，本轮存储行业上行周期与过往两轮（2016-2019年、2020-2023年）存在本质差异。前两轮周期主要由消费电子需求驱动，而当前存储芯片需求更多来自AI算力基础设施建设，需求持续性或更强。美光科技最新财报也印证了这一趋势，其AI相关需求已全面渗透至数据中心、个人电脑、智能手机及汽车电子等领域。

平安证券研究显示，海外存储原厂面临迫切的盈利修复需求，叠加AI高景气度推动产能向高端产品转移，以及下半年传统备货旺季来临，DRAM与NAND Flash合约价自第二季度起已呈现筑底回升态势。特别是企业级存储产品如eSSD、RDIMM需求持续旺盛，相关产业链企业业绩改善预期明确。建议关注江波龙、德明利、兆易创新、香农芯创、开普云、澜起科技、东芯股份、普冉股份等标的。

免责声明：本文内容来源于第三方或整理自互联网，本站仅提供展示，不拥有所有权，不代表本站观点立场，也不构成任何其他建议，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容， 请及时联系我们进行处理。