Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性

“日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。

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薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性

 

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年12月3日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分别有四颗和六颗MOSFET的模块，采用薄型MAACPAK PressFit封装，是先进的碳化硅（SiC）技术和坚固的传递模塑结构的理想组合。

日前发布的功率模块集成Vishay新一代SiC MOSFET与用于温度感测的负温度系数（NTC）热敏电阻，以及具有低反向恢复时间的快速本征SiC二极管，从而降低开关损耗，提高效率，适用于光伏逆变器、电动（EV）和混合电动（HEV）汽车充电器、电机驱动器、焊机、DC/DC转换器、UPS、暖通空调（HVAC）系统、大型电池储能系统、通信电源等。

 

为提高可靠性，VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用坚固的传递模塑工艺技术，产品生命周期远超市场上现有的传统解决方案，同时增强热阻性能。此外，器件高度低，有助于降低寄生电感和电磁干扰（EMI），节省空间，实现更高效、更干净的开关特性。模块PressFit引脚矩阵排列符合行业标准布局，便于轻松替换现有设计中的竞品解决方案，提高性能。

 

VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑结构，导通电阻低至38 mW，+80 °C下连续漏极电流为35 A, 而VS-MPX075P120则采用三相逆变器拓扑结构，导通电阻为75 mW，连续漏极电流为18 A。两种器件都具有低容值高速开关功能，最高工作结温达+175 °C。功率模块符合RoHS标准，无卤素。

 

VS-MPX075P120和VS-MPY038P120现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。

来源：中电网