长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET

“长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平16.6%，系统损耗和温升得到大幅改善。总体来看，长晶科技SGT Gen2.0系列产品的性能已经达到国际一线厂商水平。

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新一代SGT 30V MOSFET给PC电脑“降降温”

长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平16.6%，系统损耗和温升得到大幅改善。总体来看，长晶科技SGT Gen2.0系列产品的性能已经达到国际一线厂商水平。

产品介绍

基于长晶科技SGT Gen2.0的工艺，针对PC电脑30V MOSFET的应用，长晶科技布局开发了一系列产品。其中CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL上下管搭配有明显优势。

（应用在红色框部分）

●  CJAC6R8SN03AL：采用SGT工艺，PDFNWB5×6封装。在10V/20A条件下，Rds(on)仅有5.4mΩ，较小的Ciss以及Qrr，可以极大降低开关损耗，适用于高效率快速开关应用场景。

●  CJAC2R8SN03AL：采用SGT工艺，PDFNWB5×6封装。在10V/20A条件下，Rds(on)仅有2.2mΩ，较小的导通内阻，可以极大降低导通损耗，降低器件的温升。

 

参数对比

整体来看，长晶科技的技术对标国际一流，且产品在关键性能上找到了最佳平衡点。在保持超低导通电阻（RDS(on)）的同时，显著降低了栅极电荷（Qg），兼具了低损耗与高速度。 

 

系统表现

将长晶产品和竞品分别放在BUCK 系统评估板，进行系统评估，结果如下表列示。

（测试条件Vin=19V，Vout=1V，Iout=15A，Fsw=650KHz，Vdri=5V，Ta=25℃）

 

在实际应用测试中，系统整体效率达到85.17%。相较于同类型竞品，能效提升幅度分别为0.59%、1.13%、1.63%，成功达成行业领先的能效水平。通过优化产品的热管理设计和参数，在满载运行的条件下，核心器件的温升明显降低。其中，上管温升较竞品分别降低1.0℃、3.1℃、4.6℃，下管温升较竞品分别降低1.9℃、4.9℃、6.9℃，显著增强了系统长期运行的可靠性，并有效延长了产品生命周期。

相较于参照竞品，长晶科技SGT Gen2.0系列产品系统表现优于竞品，系统效率最高，温升最低。

来源：中电网