Diodes 公司推出超低 VCE(sat) NPN与 PNP 双极型晶体管，最大化紧凑型汽车设计中的功率密度与效率

“Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列，扩充符合汽车规范的双极型（Bipolar）晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管，提供业界领先的传导效率与热性能，针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。

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Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列，扩充符合汽车规范的双极型（Bipolar）晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管，提供业界领先的传导效率与热性能，针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。

两个系列的十二款高性能器件支持广泛的电压范围，适用于12伏、24伏和48伏汽车系统。这些器件适用于栅极驱动 MOSFET 与 IGBT、电源线与负载开关、低压降（LDO）稳压、DC-DC转换，以及驱动电机、电磁阀、继电器和执行器。这些器件可在最高+175°C温度下持续工作，并具备高静电放电坚固性（HBM 4kV、CDM 1kV），能在严苛的汽车环境中可靠工作。

 

这两个系列器件采用超紧凑的 PowerDI®3333-8 封装（仅 3.3mm x 3.3mm），相较传统的 SOT223 封装，可减少最多 75% 的 PCB 面积，从而释放空间、增添功能。封装底部有大面积散热片，提供4.2°C/W超低热阻（RθJL）。可电镀侧壁（SWP）功能提升自动光学检查（AOI）的可见性，并强化焊点。这可提升质量保证，减少人工检查，并支持高效且可靠的制造。

 

两个系列的 BVCEO 额定电流从 30V 到 100V 不等，提供强劲的电流处理能力。DXTN/P 80Q 系列为高要求的设计提供额外空间，连续额定电流最高可达 10A，而峰值脉冲能力达到 20A。超低饱和电压（1A下仅为17mV）和低至12mΩ的导通电阻，能将传导损降至最低，实现更低温度工作和更高效率。这有助于设计师将传导损失相较前几代降低最多50%，从而减少发热量、简化热管理。

 

DXTN/P 78 与 80 系列也可选购，适用于工业及商业应用。

来源：中电网