英飞凌扩展OptiMOS™ 7车规级MOSFET产品组合，推出超低导通电阻TOLL封装新品

英飞凌科技股份公司近日推出全新OptiMOS™ 7车规级MOSFET，将成熟的TOLL封装推向全新性能高度。通过将OptiMOS™ 7半导体技术与基于夹片的互连概念相结合，英飞凌在久经验证的10 × 12 mm² TOLL封装尺寸中，实现了超低导通电阻。这使汽车客户能够满足12V和48V系统中日益增长的功率密度和效率要求，且无需改用更大封装架构或重新设计电路板布局。凭借出色的导通电阻性能，该新器件可助力用户降低能耗，打造性能更强大的汽车电源系统。

 

英飞凌全新OptiMOS™ 7车规级MOSFET将成熟的TOLL封装推向全新性能高度。凭借出色的导通电阻性能，该新器件可助力用户降低能耗，打造性能更强大的汽车电源系统。

 

 

随着汽车电气化程度不断提升，市场对更高效、更紧凑且性能更高的电源系统的需求持续增长。汽车工程师正面临一项设计挑战：行业对功率和效率的要求不断提高，但采用更大尺寸的封装会增加成本、电路板占用空间以及设计复杂度。全新OptiMOS™ 7 TOLL器件在保持相同外形尺寸的同时大幅降低导通损耗，兼顾领先的电气性能与设计连续性，从而解决了这一难题。

 

本次推出的40 V、80 V、100 V MOSFET，RDS(on)分别可达0.24 mΩ、0.57 mΩ和0.88 mΩ，与上一代OptiMOS™ TOLL参考产品相比，性能分别实现了65%、48%、37%的显著提升。OptiMOS™ 7技术与基于夹片的互连方案相结合，还改善了电容和栅极电荷特性，在降低导通损耗的同时减少了开关损耗。其更窄的栅极阈值电压范围有助于在器件并联时实现更均衡的电流分担，从而降低单颗MOSFET受损的风险。

 

这一性能提升使客户能够在现有封装中实现大电流汽车功率级，并降低能耗。根据其系统优先级，客户可以利用超低的RDS(on)来提高效率、降低发热、提升电流承载能力或减少并联MOSFET的数量，从而在无需更改现有生态系统的情况下，为客户提供战略性的设计灵活性。

 

该新器件面向大功率12 V、48 V应用，包括电动助力转向系统（EPS）、电池隔离开关、电机驱动器、高低压直流转换器等。在此类应用中，导通损耗直接影响系统效率与热管理性能。通过在现有架构中实现更高的可用功率，OptiMOS™ 7器件可帮助汽车工程师面向下一代电动及电气化汽车，优化配电与电能转换系统。

 

供货情况

该产品现已上市。

 

英飞凌亮相electronica 2026

在2026年于德国慕尼黑举办的electronica展会上，英飞凌展示了面向AI时代的半导体创新成果和系统解决方案。随着智能技术从云端不断延伸至机器、汽车、工业系统和日常设备，英飞凌的技术助力各类设备以安全、可靠且高能效的方式实现感知、处理、连接和执行。在electronica 2026展会上，英飞凌将展示面向机器人领域的物理AI技术、智能边缘设备技术、软件定义电动汽车技术，以及从可再生能源发电到AI数据中心的未来供电技术。11月10日至13日，英飞凌将在C3展馆502号展位，展出面向日益智能化、互联化世界的创新节能解决方案。更多信息，敬请访问：www.infineon.cn/electronica。

 

来源：中电网