帝奥微推出超小封装、超高速、4通道双向电平转换DIO7S104Q

“随着手机SoC制程逐步升级至3nm等先进节点，其核心GPIO电源域电压持续降低（如1.2V），以实现更高性能和更低功耗。然而，许多外围设备（如传感器、存储器接口等）仍普遍采用1.8V逻辑电平。这种核心与外围间的电压域差异，导致信号无法直接可靠通信。

”

背景

随着手机SoC制程逐步升级至3nm等先进节点，其核心GPIO电源域电压持续降低（如1.2V），以实现更高性能和更低功耗。然而，许多外围设备（如传感器、存储器接口等）仍普遍采用1.8V逻辑电平。这种核心与外围间的电压域差异，导致信号无法直接可靠通信。

为了应对先进制程SoC与外围设备电源域不兼容等问题，帝奥微推出超小封装、超高速、4通道电平转换DIO7S104Q，该器件能高效、无缝地在SoC的1.2V低压域与外围设备的1.8V域之间进行信号电平转换，确保系统各部件间信号的正确匹配与可靠传输。

 

DIO7S104Q 是一款4通道双向电压电平转换器，带有输出使能(OE)引脚。该器件使用两个独立的可配置电源轨。 A端口和OE引脚参考 VCCA，VCCA提供0.72V至1.98V的电压；B端口引脚参考VCCB，VCCB提供1.62V至3.63V的电压，因此DIO7S104Q可以满足0.72V超低压系统应用电平转换的需求。DIO7S104Q可应用于GPIO/I2C/SMBus/I3C/SPI等信号开漏输出和推挽输出的电平转换。

DIO7S104Q特别适用于超高速SPI接口的电平转换，在1.2V转1.8V应用中，DIO7S104Q仅5ns最大的延时，即使在40MHz SPI，脉宽25ns的应用场景，它也能满足应用需求。DIO7S104Q具有一个输出使能引脚，用于控制输出状态。当OE输入为低电平时，所有I/O均处于高阻态。 DIO7S104Q 采用WLCSP-12和QFN2.0*1.7-12 封装。其额定环境温度范围为 -40 至 85℃，可以满足工业和消费应用的要求。

主要参数和竞品对比

• • 电源电压范围：

  − A 端口 0.72V 至 1.98V

  − B 端口 1.62V 至 3.63V

• • 最大数据速率：

  − 推挽：80Mbps (40MHz)

  − 开漏：6.8Mbps (3.4MHz) 

• • VCC 隔离特性：如果 VCCA 或 VCCB 输入为 GND，则所有输出均处于高阻态

• • OE 输入高电平参考VCCA电源域

• • 无电源时序要求，VCCA 或 VCCB可以任意先上电

• • 采用 0.35mm 间距的 12 引脚 WLCSP 封装和 0.4mm 间距的 QFN-12 封装

• • 工作温度：-40 至 85℃

DIO7S104Q的应用框图

DIO7S104Q是帝奥微推出的一款超小封装、超高速、4通道双向电平转换器。其核心优势在于能高效适配不同电压域间的信号转换需求，解决系统互联的关键问题。凭借小尺寸与高性能的完美结合，该器件可广泛应用于消费电子、通信、工业控制及物联网等众多领域，为设计提供灵活可靠的解决方案。

 

帝奥微将持续推出更多精品，解决客户应用的关键问题，为客户创造更高的价值！

来源：中电网